型号: STW27N60M2-EP
功能描述: MOSFET N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 package
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 163 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 25 V
Qg-栅极电荷: 33 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 170 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: MDmesh
系列: STW27N60M2-EP
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: STMicroelectronics
下降时间: 6.3 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 8.1 ns
工厂包装数量: 600
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 55.6 ns
典型接通延迟时间: 13.4 ns
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