型号: STW45N65M5
功能描述: N-Channel 650 V 78 mOhm Flange Mount MDmesh™ V Power Mosfet - TO-247
制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ V
FET类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 35A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 91nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 3375pF @ 100V
Vgs(最大值): ±20V
功率耗散(最大值): 210W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 78 毫欧 @ 19.5A,10V
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
封装形式Package: TO-247
极性Polarity: N-CH
漏源极击穿电压VDSS: 650V
连续漏极电流ID: 35A
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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