型号: STWA65N65DM2AG
功能描述: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
制造商: STMicroelectronics
包装: 管件
系列: MDmesh™ DM2
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 50 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 120nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 5500pF @ 100V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 446W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247 长引线
封装/外壳: TO-247-3
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：黄
电话：18927111567
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：连焌烺
电话：15118133175
Q Q:
联系人：岑小姐
电话：13549236572
Q Q:
联系人：党先生
电话：13807139923
Q Q:
