型号: STWA65N65DM2AG
功能描述: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
制造商: STMicroelectronics
包装: 管件
系列: MDmesh™ DM2
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 50 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 120nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 5500pF @ 100V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 446W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247 长引线
封装/外壳: TO-247-3
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