型号:  SIA439EDJ-T1-GE3

功能描述:   MOSFET P-CH 20V PPAK SC-70-6L

制造商:  VISHAY

单位包：  3000

最小起订量：  3000

FET特点：  Logic Level Gate

封装：  Tape & Reel (TR)

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  12A (Ta), 28A (Tc)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  1V @ 250µA

漏极至源极电压（Vdss）：  20V

标准包装：  3,000

供应商设备封装：  PowerPAK® SC-70-6 Single

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  16.5 mOhm @ 5A, 4.5V

FET型：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  3.5W

封装/外壳：  PowerPAK® SC-70-6

输入电容（Ciss ） @ VDS：  2410pF @ 10V

其他名称：  SIA439EDJ-T1-GE3TR

闸电荷（Qg ） @ VGS：  69nC @ 8V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

安装风格：  SMD/SMT

产品种类：  MOSFET

晶体管极性：  P-Channel

配置：  Single

源极击穿电压：  8 V

连续漏极电流：  - 28 A

正向跨导 - 闵：  24 S

RDS（ON）：  42 mOhms

功率耗散：  19 W

最低工作温度：  - 55 C

栅极电荷Qg：  26.7 nC

典型关闭延迟时间：  95 ns

上升时间：  20 ns

最高工作温度：  + 150 C

漏源击穿电压：  - 20 V

RoHS：  RoHS Compliant

下降时间：  25 ns