型号: TC58CVG0S3HQAIE
功能描述:
制造商: Toshiba Memory America, Inc.
存储器类型: 非易失
存储器格式: 闪存
技术: FLASH - NAND （SLC）
存储容量: 1Gb （128M x 8）
时钟频率: 104MHz
访问时间: 155µs
存储器接口: SPI - 四 I/O
电压 - 电源: 2.7 V ~ 3.6 V
工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装: 16-SOP
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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