型号: TGF2023-01
功能描述: 6 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT
制造商: TriQuint
产品种类: 射频GaAs晶体管
技术类型: HEMT
频率: 18 GHz
增益: 15 dB
漏源电压 VDS: 40 V
闸/源击穿电压: - 3 V
漏极连续电流: 375 mA
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: 2-Pin-Die
P1dB: 38 dBm
零件号别名: 1068837
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