型号: TGF2819-FL
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz
制造商: Qorvo
制造商: Qorvo
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制: Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS: 是
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 14 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 32 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 2.9 V
Id-连续漏极电流: 7.32 A
输出功率: 100 W
最大漏极/栅极电压: 145 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
Pd-功率耗散: 86 W
安装风格: Screw Mount
封装: Tray
配置: Single
工作频率: 3.5 GHz
工作温度范围: - 40 C to + 85 C
类型: GaN SiC HEMT
商标: Qorvo
开发套件: TGF2819-FS/FL, EVAL BOARD
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF JFET Transistors
工厂包装数量: 25
子类别: Transistors
零件号别名: 1118709 772-TGF2819-FS-EVB1
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