型号:  TGF2819-FL

功能描述:  射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz

制造商:  Qorvo

制造商:  Qorvo

产品种类:  射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

发货限制：  Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

RoHS:  是

晶体管类型:  HEMT

技术:  GaN SiC

增益:  14 dB

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  32 V

Vgs-栅源极击穿电压 :  - 2.9 V

Id-连续漏极电流:  7.32 A

输出功率:  100 W

最大漏极/栅极电压:  145 V

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 85 C

Pd-功率耗散:  86 W

安装风格:  Screw Mount

封装:  Tray

配置:  Single

工作频率:  3.5 GHz

工作温度范围:  - 40 C to + 85 C

类型:  GaN SiC HEMT

商标:  Qorvo

开发套件:  TGF2819-FS/FL, EVAL BOARD

湿度敏感性:  Yes

产品类型:  RF JFET Transistors

工厂包装数量:  25

子类别:  Transistors

零件号别名:  1118709 772-TGF2819-FS-EVB1