型号: TGF2929-HM
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 100W 28V Gain 17.4dB GaN
制造商: Qorvo
制造商: Qorvo
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 17.4 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 50 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 2.8 V
Id-连续漏极电流: 7.2 A
输出功率: 132 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
Pd-功率耗散: 140 W
安装风格: SMD/SMT
封装: Waffle
配置: Single
工作频率: DC to 3.5 GHz
工作温度范围: - 40 C to + 85 C
系列: TGF
商标: Qorvo
开发套件: TGF2929-HM EVB1
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF JFET Transistors
工厂包装数量: 25
子类别: Transistors
零件号别名: 1135635
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