型号: TGF2935
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 5Watt NF 1.3dB GaN
制造商: Qorvo
制造商: Qorvo
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 16 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: -
Vgs-栅源极击穿电压 : -
Id-连续漏极电流: 360 mA
输出功率: 4.8 W
最大漏极/栅极电压: -
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
Pd-功率耗散: 5 W
安装风格: SMD/SMT
封装: Gel Pack
应用: Defense and Aerospace, Broadband Wireless
配置: Single
工作频率: DC to 25 GHz
系列: TGF
商标: Qorvo
正向跨导 - 最小值: -
NF—噪声系数: 1.3 dB
产品类型: RF JFET Transistors
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
零件号别名: 1113815
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