型号: TGF2929-FS
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DC-3.5GHz 100W 28V GaN
制造商: Qorvo
制造商: Qorvo
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: GaN SiC
Id-连续漏极电流: 12 A
Vds-漏源极击穿电压: 28 V
增益: 14 dB
输出功率: 107 W
封装: Tray
工作频率: 3.5 GHz
类型: RF Power MOSFET
商标: Qorvo
湿度敏感性: Yes
Pd-功率耗散: 144 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 25
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 145 V
Vgs th-栅源极阈值电压: - 2.9 V
零件号别名: 1123716
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