型号: TK100A10N1,S4X(S
功能描述: MOSFET N-Ch 100V 207A U-MOS-H TO-220SIS
制造商: Toshiba
最大连续漏极电流: 100 A
最大漏源电压: 100 V
最大漏源电阻值: 3.8 m0hms
最大栅源电压: ±20 V
封装类型: TO-220SIS
最大功率耗散: 45 W
最高工作温度: +150 °C
典型栅极电荷@Vgs: 140 nC@ 10 V
典型输入电容值@Vds: 8800 pF@ 50 V
典型关断延迟时间: 140 ns
典型接通延迟时间: 59 ns
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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