型号: TK11A65D(STA4,X,M)
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 1mA 漏源导通电阻：700mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道
制造商: TOSHIBA(东芝)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 11A
栅源极阈值电压: 4V @ 1mA
漏源导通电阻: 700mΩ @ 5.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 45W(Tc)
类型: N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：李
Q Q:
联系人：柯小姐
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13724201920
Q Q:
