TK12J60W,S1VQ(O规格参数_TK12J60W,S1VQ(O全国代理商/分销商

型号: TK12J60W,S1VQ(O
功能描述: Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK12J60W,S1VQ(O, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
制造商: Toshiba
通道类型： N
最大连续漏极电流： 11.5 A
最大漏源电压： 600 V
最大漏源电阻值： 300 m0hms
最大栅阈值电压： 3.7V
最大栅源电压： -30 V、+30 V
封装类型： TO-3P
安装类型：通孔
引脚数目： 3
晶体管配置：单
通道模式：增强
类别：功率 MOSFET
最大功率耗散： 110 W
典型接通延迟时间： 45 ns
典型关断延迟时间： 85 ns
典型输入电容值@Vds： 890 pF @ 300 V
典型栅极电荷@Vgs： 25 nC @ 10 V
晶体管材料： Si
系列： TK
每片芯片元件数目： 1
宽度： 4.5mm
长度： 15.5mm
高度： 20mm
正向二极管电压： 1.7V
尺寸： 15.5 x 4.5 x 20mm
最高工作温度： +150 °C
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs