TK20A60W,S5VX(M规格参数_TK20A60W,S5VX(M全国代理商/分销商

型号: TK20A60W,S5VX(M
功能描述: Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK20A60W,S5VX(M, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
制造商: Toshiba
通道类型： N
最大连续漏极电流： 20 A
最大漏源电压： 600 V
最大漏源电阻值： 155 m0hms
最大栅阈值电压： 3.7V
最大栅源电压： -30 V、+30 V
封装类型： TO-220SIS
安装类型：通孔
晶体管配置：单
引脚数目： 3
通道模式：增强
类别：功率 MOSFET
最大功率耗散： 45 W
最高工作温度： +150 °C
每片芯片元件数目： 1
高度： 15mm
长度： 10mm
系列： TK
宽度： 4.5mm
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 48 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 1680 pF @ 300 V
典型关断延迟时间： 100 ns
典型接通延迟时间： 50 ns
尺寸： 10 x 4.5 x 15mm
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs