型号: TK25S06N1L,LXHQ
功能描述: AEC-Q POWER MOSFET TRANSISTOR DP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列: U-MOSVIII-H
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 25A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 36.8 毫欧 @ 12.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 15nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 855pF @ 10V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 57W（Tc）
工作温度: 175°C
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DPAK+
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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