型号: TK25V60X,LQ
功能描述:
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 25A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 3.5V @ 1.2mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 40nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs: 10V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2400pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds: 300V
功率耗散（最大值）: 180W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 135 毫欧 @ 7.5A，10V
工作温度: 150°C
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: 5-DFN（8x8）
封装/外壳: 4-VSFN 裸露焊盘
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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