型号: TK28E65W,S1X(S
功能描述: MOSFET,N-channel,650V,27.6A,TO220
制造商: Toshiba
通道类型： N
最大连续漏极电流： 27.6 A
最大漏源电压： 650 V
最大漏源电阻值： 110 m0hms
最大栅阈值电压： 3.5V
最小栅阈值电压： 2.5V
最大栅源电压： -30 V、+30 V
封装类型： TO-220
安装类型： 通孔
引脚数目： 3
通道模式： 增强
类别： 开关调节器
最大功率耗散： 230 W
最高工作温度： +150 °C
尺寸： 10.16 x 4.45 x 15.1mm
正向二极管电压： 1.7V
系列： DTMOSIV
晶体管材料： Si
典型输入电容值@Vds： 3000 pF @ 300 V
典型关断延迟时间： 130 ns
典型接通延迟时间： 60 ns
宽度： 4.45mm
高度： 15.1mm
长度： 10.16mm
每片芯片元件数目： 1
典型栅极电荷@Vgs： 75 nC @ 10 V
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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