型号: TK39J60W,S1VQ(O
功能描述: Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK39J60W,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
制造商: Toshiba
通道类型： N
最大连续漏极电流： 39 A
最大漏源电压： 600 V
最大漏源电阻值： 65 m0hms
最大栅阈值电压： 3.7V
最大栅源电压： -30 V、+30 V
封装类型： TO-3PN
安装类型： 通孔
引脚数目： 3
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 270 W
高度： 20mm
尺寸： 15.5 x 4.5 x 20mm
宽度： 4.5mm
最高工作温度： +150 °C
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 110 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 4100 pF @ 300 V
典型关断延迟时间： 200 ns
典型接通延迟时间： 80 ns
长度： 15.5mm
每片芯片元件数目： 1
系列： TK
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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