型号: TK39N60W,S1VF
功能描述: MOSFET DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 38.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 110 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 270 W
配置: Single
商标名: DTMOSIV
高度: 20.95 mm
长度: 15.94 mm
系列: TK39N60W
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.02 mm
商标: Toshiba
正向跨导 - 最小值: -
下降时间: 9 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 50 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 200 ns
典型接通延迟时间: 80 ns
单位重量: 38 g
联系人：王静
电话：13261242936
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：刘威
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：13632853267
Q Q:
