型号: TK65E10N1,S1X
功能描述: MOSFET 100V N-Ch PWR FET 148A 192W 5400pF
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 148 A
Rds On-漏源导通电阻: 4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 81 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 192 W
配置: Single
封装: Reel
高度: 15.1 mm
长度: 10.16 mm
系列: TK65E10N1
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.45 mm
商标: Toshiba
下降时间: 26 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 19 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 85 ns
典型接通延迟时间: 44 ns
单位重量: 6 g
联系人：王静
电话：13261242936
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13652405995
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：郑灶伟
电话：17666094499
Q Q:
联系人：昂捷
Q Q:
联系人：贾敏
电话：15338888199
Q Q:
