型号: TK65E10N1,S1X
功能描述: MOSFET 100V N-Ch PWR FET 148A 192W 5400pF
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 148 A
Rds On-漏源导通电阻: 4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 81 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 192 W
配置: Single
封装: Reel
高度: 15.1 mm
长度: 10.16 mm
系列: TK65E10N1
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.45 mm
商标: Toshiba
下降时间: 26 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 19 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 85 ns
典型接通延迟时间: 44 ns
单位重量: 6 g
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