型号: TK6A60D,S5Q(J
功能描述: MOSFET, DTMOS8, 600V/6A, TO220
制造商: Toshiba
通道类型: N
最大连续漏极电流: 6 A
最大漏源电压: 600 V
最大漏源电阻值: 1.25 0hms
最大栅阈值电压: 4V
最大栅源电压: -30 V、+30 V
封装类型: SC-67
安装类型: 通孔
晶体管配置: 单
引脚数目: 3
通道模式: 增强
最大功率耗散: 40 W
最高工作温度: +150 °C
长度: 10mm
高度: 15mm
系列: TK
尺寸: 10 x 4.5 x 15mm
每片芯片元件数目: 1
典型栅极电荷@Vgs: 16 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds: 800 pF @ 25 V
典型关断延迟时间: 60 ns
典型接通延迟时间: 40 ns
宽度: 4.5mm
晶体管材料: Si
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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