型号: TK6A60D(Q,M)
功能描述: Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
制造商: toshiba
包装： 3TO-220SIS
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 600 V
最大连续漏极电流： 6 A
RDS -于： 1250@10V mOhm
最大门源电压： ±30 V
典型上升时间： 20 ns
典型下降时间： 12 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Through Hole
标准包装： Trays
连续漏极电流： 6 A
栅源电压（最大值）： �30 V
功率耗散： 40 W
漏源导通电阻： 1.25 ohm
工作温度范围： -55C to 150C
包装类型： TO-220SIS
引脚数： 3 +Tab
极性： N
类型： Power MOSFET
元件数： 1
工作温度分类： Military
漏源导通电压： 600 V
弧度硬化： No
联系人：Alien
Q Q:
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