型号: TK8Q60W,S1VQ(S
功能描述: MOSFET,N-channel,600V,8A,IPAK
制造商: Toshiba
通道类型： N
最大连续漏极电流： 8 A
最大漏源电压： 600 V
最大漏源电阻值： 500 m0hms
最大栅阈值电压： 3.7V
最小栅阈值电压： 2.7V
最大栅源电压： -30 V、+30 V
封装类型： IPAK (TO-251)
安装类型： 通孔
引脚数目： 3
通道模式： 增强
类别： 开关调节器
最大功率耗散： 80 W
典型接通延迟时间： 40 ns
典型关断延迟时间： 70 ns
典型输入电容值@Vds： 570 pF @ 300 V
典型栅极电荷@Vgs： 18.5 nC @ 10 V
晶体管材料： Si
系列： DTMOSIV
每片芯片元件数目： 1
宽度： 2.3mm
长度： 6.65mm
高度： 7.12mm
正向二极管电压： 1.7V
尺寸： 6.65 x 2.3 x 7.12mm
最高工作温度： +150 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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