型号: TP65H150LSG
功能描述: 650V 15A GAN FET
制造商: Transphorm
包装: 管件
系列: -
零件状态: 最後搶購
FET 类型: N 通道
技术: GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）: 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 180 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4.8V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 7.1nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 576pF @ 400V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 69W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 3-PQFN（8x8）
封装/外壳: 3-PowerDFN
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：王先生
电话：13683302275
Q Q:
联系人：林小姐
电话：13713988890
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13510157626
Q Q:
联系人：罗生
电话：13106933462
Q Q:
联系人：adi
电话：68134913
Q Q:
联系人：康先生
电话：15830690676
Q Q:
