型号: TPCC8005-H(TE12LQM
功能描述:
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 26A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.3V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 35nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2900pF @ 10V
功率耗散（最大值）： 700mW（Ta），30W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 6.4 毫欧 @ 13A，10V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 8-TSON Advance（3.3x3.3）
封装/外壳： 8-PowerVDFN
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：李先生
电话：13554802629
Q Q:
联系人：李明璐
电话：18312586557
Q Q:
联系人：刘先生
电话：13592753903
Q Q:
联系人：阮荣霞
电话：18782982611
Q Q:
