型号: TPCC8093,L1Q(M
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 500uA 漏源导通电阻：5.8mΩ @ 10.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道
制造商: TOSHIBA(东芝)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 21A
栅源极阈值电压: 1.2V @ 500uA
漏源导通电阻: 5.8mΩ @ 10.5A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 30W(Tc)
类型: N沟道
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