型号:  TPCF8101(TE85L,F)

功能描述:   Trans MOSFET P-CH 12V 6A 8-Pin VS T/R

制造商:  toshiba

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  4,000

FET 型 ：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  12V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  6A

Rds（最大）@ ID，VGS：  28 mOhm @ 3A, 4.5V

VGS（TH）（最大）@ Id：  1.2V @ 200µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  18nC @ 5V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  1600pF @ 10V

功率 - 最大：  -

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装：  VS-8 (2.9x1.9)

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  8VS

渠道类型：  P

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  12 V

最大连续漏极电流：  6 A

RDS -于：  28@4.5V mOhm

最大门源电压：  ±8 V

典型上升时间：  7 ns

典型下降时间：  21 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

连续漏极电流：  6 A

栅源电压（最大值）：  �8 V

功率耗散：  2.5 W

漏源导通电阻：  0.028 ohm

工作温度范围：  -55C to 150C

包装类型：  VS

封装：  Tape and Reel

引脚数：  6

极性：  P

类型：  Power MOSFET

元件数：  1

工作温度分类：  Military

漏源导通电压：  12 V

弧度硬化：  No