型号: TPH3206LDGB
功能描述:
制造商: Transphorm
FET 类型： N 沟道
技术： GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）： 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.6V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 9.3nC @ 4.5V
Vgs（最大值）： ±18V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 760pF @ 480V
功率耗散（最大值）： 81W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 180 毫欧 @ 11A，8V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： PQFN（8x8）
封装/外壳： 3-PowerDFN
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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