型号: TPH3208LS
功能描述:
制造商: Transphorm
FET 类型: N 沟道
技术: GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）: 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 8V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.6V @ 300µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 14nC @ 8V
Vgs（最大值）: ±18V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 760pF @ 400V
功率耗散（最大值）: 96W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 130 毫欧 @ 13A，8V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: PQFN（8x8）
封装/外壳: 3-PowerDFN
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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