型号: TPH4R008NH,L1Q(M
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:4mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):78W(Tc) 类型:N沟道
制造商: TOSHIBA(东芝)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 80V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 60A(Tc)
栅源极阈值电压: 4V @ 1mA
漏源导通电阻: 4mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C): 78W(Tc)
类型: N沟道
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