型号:  TPN6R303NC,LQ

功能描述:  MOSFET N-Ch 30V 1370pF 24nC 6.3mOhm 43A 19W

制造商:  Toshiba

制造商:  Toshiba

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TSON-Advance-8

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  43 A

Rds On-漏源导通电阻:  5.2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.3 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  24 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  19 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Reel

高度:  0.85 mm

长度:  3.1 mm

系列:  TPN6R303NC

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  3.1 mm

商标:  Toshiba

下降时间:  14 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  6 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  55 ns

典型接通延迟时间:  14 ns