型号:  TPS1100D

功能描述:  MOSFET MOSFET 10ns RT

制造商:  Texas Instruments

制造商:  Texas Instruments

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOIC-8

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  15 V

Id-连续漏极电流:  1.6 A

Rds On-漏源导通电阻:  180 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:  15 V

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 85 C

Pd-功率耗散:  791 mW

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Tube

高度:  1.75 mm

长度:  4.9 mm

产品:  MOSFET Small Signal

系列:  TPS1100

晶体管类型:  1 P-Channel

类型:  MOSFET

宽度:  3.9 mm

商标:  Texas Instruments

正向跨导 - 最小值:  2.5 S

下降时间:  10 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  10 ns

工厂包装数量:  75

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  13 ns

典型接通延迟时间:  4.5 ns

单位重量:  76 mg