型号: TSM1N60SCT
功能描述: MOSFET 600V 1A N channel MOSFET
制造商: Taiwan Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 600 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: 0.3 A
导通电阻: 13 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92
封装: Ammo Pack
商标: Taiwan Semiconductor
下降时间: 24 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 3 W
上升时间: 20 ns
工厂包装数量: 2000
典型关闭延迟时间: 25 ns
零件号别名: A3
ROHS: 无铅
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