型号: TSM1N60SCT
功能描述: MOSFET 600V 1A N channel MOSFET
制造商: Taiwan Semiconductor
产品种类： MOSFET
晶体管极性： N-Channel
汲极/源极击穿电压： 600 V
闸/源击穿电压： +/- 30 V
漏极连续电流： 0.3 A
导通电阻： 13 Ohms
配置： Single
最大工作温度： + 150 C
安装风格： Through Hole
封装 / 箱体： TO-92
封装： Ammo Pack
商标： Taiwan Semiconductor
下降时间： 24 ns
最小工作温度： - 55 C
功率耗散： 3 W
上升时间： 20 ns
工厂包装数量： 2000
典型关闭延迟时间： 25 ns
零件号别名： A3
ROHS： 无铅
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