型号: TSM60NB190CI
功能描述: MOSFET 600V Power MOSFET Superjunction N-chan
制造商: Taiwan Semiconductor
制造商: Taiwan Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 18 A
Rds On-漏源导通电阻: 170 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 31 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 33.8 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Taiwan Semiconductor
下降时间: 21 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 21 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 95 ns
典型接通延迟时间: 36 ns
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