型号:  TSM60NB190CM2 RNG

功能描述:  MOSFET 600V, 18A, 0.19 N Channel Power Mosfet

制造商:  Taiwan Semiconductor

制造商:  Taiwan Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-263-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  600 V

Id-连续漏极电流:  18 A

Rds On-漏源导通电阻:  170 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  31 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  150.6 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  Reel

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  Taiwan Semiconductor

下降时间:  21 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  21 ns

工厂包装数量:  800

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  95 ns

典型接通延迟时间:  36 ns

单位重量:  2.200 g