型号:  US6M1TR

功能描述:  MOSFET N+P 30 20V 1A

制造商:  ROHM Semiconductor

制造商:  ROHM Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-363T-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  1.4 A

Rds On-漏源导通电阻:  170 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  1.4 nC, 2.1 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.77 mm

长度:  2 mm

系列:  US6M1

晶体管类型:  1 N-Channel, 1 P-Channel

类型:  MOSFET

宽度:  1.7 mm

商标:  ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  1 S, 0.7 S

下降时间:  8 nS, 10 nS

产品类型:  MOSFET

上升时间:  6 nS, 8 nS

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  13 nS, 25 nS

典型接通延迟时间:  6 nS, 9 nS

零件号别名:  US6M1

单位重量:  7.500 mg