型号: VBA3410
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W 类型：双N沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -40V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 12A(Tc)
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 10mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 2.1W
类型: 双N沟道
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