型号: VBTA1220N
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：850mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：390mΩ @ 500mA,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：N沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 850mA
栅源极阈值电压: 1V @ 250uA
漏源导通电阻: 390mΩ @ 500mA,2.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 500mW
类型: N沟道
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