型号: VMO550-01F
功能描述:
制造商: IXYS Corporation
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 590A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 6V @ 110mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 2000nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 50000pF @ 25V
功率耗散（最大值）: 2200W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 2.1 毫欧 @ 500mA，10V
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 底座安装
供应商器件封装: Y3-DCB
封装/外壳: Y3-DCB
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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