型号: WSD3070DN
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A 漏源电压（Vdss）：25V 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：3.4mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：62.5W 类型：N沟道
制造商: WINSOK微硕
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 25V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 70A
栅源极阈值电压: 1.1V @ 250uA
漏源导通电阻: 3.4mΩ @ 20A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 62.5W
类型: N沟道
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