型号: WSD30L40DN
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：14mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：32.9W(Tc) 类型：P沟道
制造商: WINSOK微硕
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 40A(Tc)
栅源极阈值电压: 2.3V @ 250uA
漏源导通电阻: 14mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 32.9W(Tc)
类型: P沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：小柯
电话：13332931905
Q Q:
联系人：李勇龙
电话：82701288
Q Q:
联系人：朱小姐,雷先生
电话：13544169689
Q Q:
联系人：苏
电话：18955319741
Q Q:
