型号:  ZVN2106ASTOA

功能描述:   MOSFET N-Chnl 60V

制造商:  Diodes Inc.

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  2,000

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  60V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  450mA

Rds（最大）@ ID，VGS：  2 Ohm @ 1A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  2.4V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  -

输入电容（Ciss）@ Vds的：  75pF @ 18V

功率 - 最大：  700mW

安装类型 ：  Through Hole

包/盒 ：  TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

供应商器件封装：  TO-92-3

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

FET特点：  Logic Level Gate

封装：  Tape & Reel (TR)

安装类型：  Through Hole

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  450mA (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  2.4V @ 1mA

封装/外壳：  TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

供应商设备封装：  TO-92-3

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  2 Ohm @ 1A, 10V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  700mW

标准包装：  2,000

漏极至源极电压（Vdss）：  60V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  75pF @ 18V