型号:  ZXMD65P03N8TA

功能描述:   MOSFET Dl 30V P-Chnl HDMOS

制造商:  Diodes Inc.

Rohs：  Contains lead / RoHS non-compliant

标准包装：  500

FET 型 ：  2 P-Channel (Dual)

FET特点：  Standard

漏极至源极电压（VDSS）：  30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  3.8A

Rds（最大）@ ID，VGS：  55 mOhm @ 4.9A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  1V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  25.7nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  930pF @ 25V

功率 - 最大：  1.25W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

供应商器件封装：  8-SOP

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

FET特点：  Standard

封装：  Cut Tape (CT)

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  3.8A

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  1V @ 250µA

供应商设备封装：  8-SO

其他名称：  ZXMD65P03N8CT

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  55 mOhm @ 4.9A, 10V

FET型：  2 P-Channel (Dual)

功率 - 最大：  1.25W

标准包装：  1

漏极至源极电压（Vdss）：  30V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  930pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  25.7nC @ 10V

封装/外壳：  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)