型号: ZXMN2F34MATA
功能描述:
制造商: Diodes Incorporated
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 2.8nC @ 4.5V
Vgs（最大值）: ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 277pF @ 10V
功率耗散（最大值）: 1.35W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 60 毫欧 @ 2.5A，4.5V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: DFN322
封装/外壳: 3-VDFN
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs: 4.5V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds: 10V
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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