型号:  ZXMN3AM832TA

功能描述:   MOSFET Dl 30V N Chnl UMOS

制造商:  Diodes Inc.

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

产品更改通知：  MLP322, 832 Pkg Discontinuation 20/Dec/2010

标准包装：  3,000

FET 型 ：  2 N-Channel (Dual)

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  2.9A

Rds（最大）@ ID，VGS：  120 mOhm @ 2.5A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  1V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  3.9nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  190pF @ 25V

功率 - 最大：  1.5W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  8-MLP

供应商器件封装：  8-MLP (3x2)

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

最大门源电压：  ±20

欧盟RoHS指令：  Compliant

最高工作温度：  150

通道模式：  Enhancement

最低工作温度：  -55

包装高度：  1(Max)

安装：  Surface Mount

最大功率耗散：  3000

渠道类型：  N

封装：  Tape and Reel

最大漏源电阻：  120@10V

最大漏源电压：  30

每个芯片的元件数：  2

包装宽度：  2

供应商封装形式：  MLP

包装长度：  3

PCB：  8

最大连续漏极电流：  3.7

引脚数：  8

单位包：  3000

最小起订量：  3000

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  2.9A

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  1V @ 250µA

供应商设备封装：  8-MLP (3x2)

其他名称：  ZXMN3AM832TR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  120 mOhm @ 2.5A, 10V

FET型：  2 N-Channel (Dual)

功率 - 最大：  1.5W

标准包装：  3,000

漏极至源极电压（Vdss）：  30V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  190pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  3.9nC @ 10V

封装/外壳：  8-MLP

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  3000

产品种类：  MOSFET

晶体管极性：  N-Channel

配置：  Dual Dual Drain

源极击穿电压：  +/- 20 V

连续漏极电流：  3.7 A

安装风格：  SMD/SMT

RDS（ON）：  180 mOhms

功率耗散：  3 W

最低工作温度：  - 55 C

封装/外壳：  MLP-8

典型关闭延迟时间：  6.6 ns

上升时间：  2.3 ns

最高工作温度：  + 150 C

漏源击穿电压：  30 V