型号:  ZXMP4A57E6TA

功能描述:   Trans MOSFET P-CH 40V 3.7A 6-Pin SOT-26 T/R

制造商:  diodes, inc

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  3,000

FET 型 ：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  40V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  2.9A

Rds（最大）@ ID，VGS：  80 mOhm @ 4A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  3V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  15.8nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  833pF @ 20V

功率 - 最大：  1.1W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  SOT-23-6

供应商器件封装：  SOT-26

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  6SOT-26

渠道类型：  P

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  40 V

最大连续漏极电流：  3.7 A

RDS -于：  80@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  2.5 ns

典型上升时间：  3.3 ns

典型关闭延迟时间：  47 ns

典型下降时间：  21 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

最大门源电压：  ±20

包装宽度：  1.6

PCB：  6

最大功率耗散：  1700

最大漏源电压：  40

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  80@10V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  SOT-26

标准包装名称：  SOT-26

最高工作温度：  150

包装长度：  3

引脚数：  6

包装高度：  1.1

最大连续漏极电流：  3.7

封装：  Tape and Reel

铅形状：  Gull-wing

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  2.9A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  3V @ 250µA

供应商设备封装：  SOT-26

其他名称：  ZXMP4A57E6TATR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  80 mOhm @ 4A, 10V

FET型：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  1.1W

漏极至源极电压（Vdss）：  40V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  833pF @ 20V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  15.8nC @ 10V

封装/外壳：  SOT-23-6

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

安装风格：  SMD/SMT

配置：  Single

晶体管极性：  P-Channel

源极击穿电压：  +/- 20 V

连续漏极电流：  - 3.7 A

RDS（ON）：  80 mOhms

功率耗散：  1.1 W

最低工作温度：  - 55 C

封装/外壳：  SOT-26

栅极电荷Qg：  7 nC

上升时间：  3.3 ns

最高工作温度：  + 150 C

漏源击穿电压：  - 40 V