型号: ZXMS6005DGQ-13
功能描述: MOSFET Low Side IntelliFET
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-223-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 2 A
Rds On-漏源导通电阻: 200 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 0.7 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
Pd-功率耗散: 3 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Diodes Incorporated
下降时间: 19 us
产品类型: MOSFET
上升时间: 14 us
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 34 us
典型接通延迟时间: 6 us
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