型号:  ZXTDA1M832TA

功能描述:   Transistors Bipolar - BJT 15V NPN / 12V PNP

制造商:  Diodes Inc.

产品更改通知：  MLP322, 832 Pkg Discontinuation 20/Dec/2010

标准包装：  3,000

晶体管类型：  NPN, PNP

集电极电流（Ic）（最大）：  4.5A, 4A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  15V, 12V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  280mV @ 50mA, 4.5A / 300mV @ 150mA, 4A

电流 - 集电极截止（最大）：  25nA

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  200 @ 3A, 2V / 180 @ 2.5A, 2V

功率 - 最大：  1W

频率转换：  120MHz, 110MHz

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  8-MLP

供应商器件封装：  8-MLP (3x2)

包装材料 ：  Tape & Reel (TR);;其他的名称；

集电极最大直流电流：  5@NPN|4.4@PNP

最小直流电流增益：  200@10mA@2V|300@200mA@2V|200@3A@2...

欧盟RoHS指令：  Compliant

最高工作温度：  150

最大集电极基极电压：  40@NPN|20@PNP

包装高度：  1(Max)

安装：  Surface Mount

最大基地发射极电压：  7.5

Maximum Transition Frequency ：  120(Typ)@NPN|110(Typ)@PNP

封装：  Tape and Reel

PCB：  8

最大集电极发射极电压：  15@NPN|12@PNP

每个芯片的元件数：  2

包装宽度：  2

供应商封装形式：  MLP

包装长度：  3

最大功率耗散：  3000

类型：  NPN|PNP

引脚数：  8

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  4.5A, 4A

晶体管类型：  NPN, PNP

安装类型：  Surface Mount

频率 - 转换：  120MHz, 110MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  280mV @ 50mA, 4.5A / 300mV @ 150mA, 4A

电流 - 集电极截止（最大）：  25nA

标准包装：  3,000

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  15V, 12V

供应商设备封装：  8-MLP (3x2)

功率 - 最大：  1W

封装/外壳：  8-MLP

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  200 @ 3A, 2V / 180 @ 2.5A, 2V

其他名称：  ZXTDA1M832TATR

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  3000

集电极 - 发射极饱和电压：  240 mV

产品种类：  Transistors Bipolar - BJT

晶体管极性：  NPN/PNP

发射极 - 基极电压VEBO：  7.5 V

最大功率耗散：  1.5 W

直流集电极/增益hfe最小值：  200 at 10 mA at 2 V at NPN, 300 at 200 mA at 2 V at NPN, 200 at 3 A at 2 V at NPN, 150 at 5 A at 2 V at NPN, 300 at 10 mA at 2 V at PNP, 300 at 100 mA at 2 V at PNP, 180 at 2.5 A at 2 V at PNP, 60 at 8 A at 2 V at PNP, 45 at 10 A at 2 V at PNP

直流电流增益hFE最大值：  200

增益带宽产品fT：  110 MHz, 120 MHz

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  15 V, 12 V

安装风格：  SMD/SMT

集电极 - 基极电压VCBO：  40 V, 20 V

集电极最大直流电流：  5 A, 4.4 A

配置：  Dual

最高工作温度：  + 150 C