型号:  ZXTDBM832TA

功能描述:   Transistors Bipolar - BJT 20V NPN 3X2 MLP

制造商:  Diodes Inc.

产品更改通知：  MLP322, 832 Pkg Discontinuation 20/Dec/2010

标准包装：  3,000

晶体管类型：  2 NPN (Dual)

集电极电流（Ic）（最大）：  4.5A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  20V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  270mV @ 125mA, 4.5A

电流 - 集电极截止（最大）：  25nA

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  200 @ 2A, 2V

功率 - 最大：  1.7W

频率转换：  140MHz

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  8-MLP

供应商器件封装：  8-MLP (3x2)

包装材料 ：  Tape & Reel (TR);;其他的名称；

集电极最大直流电流：  5

最小直流电流增益：  200@10mA@2V|300@0.2A@2V|200@2A@2V...

欧盟RoHS指令：  Compliant

最高工作温度：  150

最大集电极基极电压：  40

最低工作温度：  -55

包装高度：  1(Max)

安装：  Surface Mount

最大功率耗散：  3000

最大基地发射极电压：  7.5

Maximum Transition Frequency ：  140(Typ)

封装：  Tape and Reel

PCB：  8

每个芯片的元件数：  2

包装宽度：  2

供应商封装形式：  MLP

包装长度：  3

最大集电极发射极电压：  20

类型：  NPN

引脚数：  8

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  4.5A

晶体管类型：  2 NPN (Dual)

安装类型：  Surface Mount

频率 - 转换：  140MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  270mV @ 125mA, 4.5A

电流 - 集电极截止（最大）：  25nA

标准包装：  3,000

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  20V

供应商设备封装：  8-MLP (3x2)

功率 - 最大：  1.7W

封装/外壳：  8-MLP

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  200 @ 2A, 2V

其他名称：  ZXTDBM832TATR

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  3000

集电极 - 发射极饱和电压：  210 mV

产品种类：  Transistors Bipolar - BJT

晶体管极性：  NPN

发射极 - 基极电压VEBO：  7.5 V

最大功率耗散：  1.5 W

直流集电极/增益hfe最小值：  200 at 10 mA at 2 V, 300 at 0.2 A at 2 V, 200 at 2 A at 2 V, 100 at 6 A at 2 V

直流电流增益hFE最大值：  200

增益带宽产品fT：  140 MHz

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  20 V

安装风格：  SMD/SMT

集电极 - 基极电压VCBO：  40 V

最低工作温度：  - 55 C

集电极最大直流电流：  5 A

配置：  Dual

最高工作温度：  + 150 C