型号: AFT05MP075GNR1
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 75W 12.5V TO270WB4G
制造商: NXP / Freescale
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-270-WB-4
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
工作频率: 136 MHz to 150 MHz
系列: AFT05MP075N
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP / Freescale
正向跨导 - 最小值: 7.3 S
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
零件号别名: 935311172528
单位重量: 1.635 g
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